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三星
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2026-03-15
2nm工艺不再拉跨，三星打造全新HBM4E内存：友商还在用12nm
三星在AI时代HBM内存竞争中正全力追赶。其最新发布的HBM4E内存计划采用2nm工艺制造基底芯片，并升级内存工艺至1c等级，旨在显著改善发热、能效和芯片利用率。相较之下，竞争对手SK海力士的HBM基底芯片仍在使用12nm工艺。三星此举标志着其2nm工艺摆脱了以往的瓶颈，并已获得特斯拉等客户的追加订单。HBM4E内存预计将在今年年中问世，而定制版本下半年将上市。
2026-03-15
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